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高功率单片式 Silent Switcher 2 稳压器

文章出处:邢静人气: 发布时间:2018-11-19 10:01:56

随着汽车中电子系统数量的成倍增加,车内产生电磁干扰的风险也大幅升高了。因此,新式车辆中的电子产品常常必须符合 CISPR 25 Class 5 EMI 测试标准,该标准对传导型和辐射型 EMI 发射做了严格的限制。由于其本身的性质,开关电源充斥着 EMI,并在整个汽车中“弥漫扩散”。

  如今,低 EMI 与小的解决方案尺寸、高效率、散热能力、坚固性和易用性一起,成为了对汽车电源的一项关键要求。Silent Switcher 2 稳压器系列可满足汽车制造商严格的 EMI 要求,同时拥有紧凑的尺寸以及集成化 MOSFET 和高电流能力。

  已获专利的Silent Switcher 技术在高频、高功率电源中实现了令人印象深刻的 EMI 性能。作为这项技术的下一代,Silent Switcher 2 简化了电路板设计和制造,其所采取的方法是把热环路电容器纳入到封装中,因此 PCB 布局对于 EMI 的影响极小。

  当今 (及未来) 车辆上所使用的片内系统 (SOC) 器件与前几代同类产品几乎没有什么相似之处。信息娱乐系统和车辆安全系统之特性和功能的指数性增加迫切要求 SOC 处理数据的速度比过去提高几个数量级,包括以极少的延迟处理来自多个信号源的高分辨率视频数据。例如,倘若汽车的前置摄像头“看到”了某种危险,则汽车必须立刻做出响应,要么提醒驾驶者注意,要么刹车制动。

  为了满足最新的计算需求,SOC 在其封装中集成了越来越多的高耗电器件,可是,将怎样提供这些所需的功率呢? 在汽车中,功率输送方案必须具有高效、紧凑和低 EMI 的特点。SOC 增加的需求使得它们更难以满足。

  比如,一个 R-Car H3 SOC 包含 8 个 ARM 内核、DSP、视频和图形处理器、以及辅助的支持器件。所有这些组件均需要可靠的电源,包括三个用于外设和辅助组件的电源轨 (5V、3.3V 和 1.8V)、两个用于 DDR3 和 LPDDR4 的电源轨 (1.2V 和 1.1V)、和另一个用于内核的电源轨 (0.8V)。

  为了支持 SOC 所需的电流水平,具有外部 MOSFET 的开关电源控制器是优先于单片式电源器件的传统选择方案。单片式器件因其内部 MOSFET 最大限度缩减了成本和解决方案尺寸而引人注目,但是它们在传统上受限的电流能力和存在的热问题则通常限制了其使用。LT8650S 和一个新的单片式降压型 Silent Swicther 稳压器系列拥有支持 SOC 的电流能力和热管理特性。

  由于具备高效率和热管理特性,因此 Power by Linear™ LT®8650S、LT8609S 和 LT8645S 的输出电流能力比典型单片式稳压器高得多。3V 至 42V (对于 LT8645S 则为 65V) 的输入电压范围涵盖了汽车电池的各种电量条件。这些单片式 IC 具有集成的 MOSFET,并能以高于 2MHz 的频率运行,因而缩减了解决方案尺寸和成本,同时避开了 AM 频段。Silent Switcher 稳压器专为最大限度降低 EMI 而设计,从而使其成为适合 SOC 的一种热门选择。
 


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